SIGC18T60UNX1SA2
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies SIGC18T60UNX1SA2
| Artikelnummer: | SIGC18T60UNX1SA2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 3 CHIP 600V WAFER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies SIGC18T60UNX1SA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIGC18T60UNX1SA2.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 20A Testbedingung 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/65ns Schaltenergie - Supplier Device-Gehäuse Die Serie - Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabetyp Standard IGBT-Typ NPT Strom - Collector Pulsed (Icm) 60 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A Grundproduktnummer SIGC18 -
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